ADR425BRZ-REEL7和ADR435BRZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ADR425BRZ-REEL7 ADR435BRZ ADR425BR-REEL7

描述 超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage ReferencesANALOG DEVICES  ADR435BRZ.  芯片, 电压基准, 5V超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±0.04 % ±0.04 % ±0.04 %

输入电压(DC) 18.0V (max) 7.00V ~ 18.0V 18.0V (max)

输出电压 5 V 5 V 5 V

输出电流 10 mA 30 mA 10 mA

供电电流 600 µA 800 µA 600 µA

通道数 1 1 1

输入电压(Max) 18 V 20 V 18 V

输出电压(Max) 5 V 5.002 V -

输出电压(Min) 5 V 5 V 5 V

输出电流(Max) 10 mA 30 mA 10 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

精度 ±0.04 % ±0.04 % ±0.04 %

输入电压 7V ~ 18V 7V ~ 18V 7V ~ 18V

针脚数 - 8 -

输入电压(Min) - 7 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数 ±3 ppm/℃ ±1 ppm/℃ ±3 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

香港进出口证 NLR - -

ECCN代码 - EAR99 -

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