LM385BYM-1.2/NOPB和LM285BYMX-1.2/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM385BYM-1.2/NOPB LM285BYMX-1.2/NOPB LM385BD-1-2

描述 LM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference DiodeLM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference DiodeTEXAS INSTRUMENTS  LM385BD-1-2  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385B系列, 1.235V, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±1 % ±1 % ±1 %

输出电压 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流 20 mA 20 mA 20 mA

供电电流 - - 20.0 mA

通道数 1 1 1

针脚数 - - 8

输出电压(Max) 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电压(Min) 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流(Max) 20 mA 20 mA 20 mA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

精度 2 % 1 % ±1 %

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.9 mm - 3.91 mm

高度 1.45 mm 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

温度系数 ±50 ppm/℃ ±50 ppm/℃ ±20 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2018/06/27

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台