对比图
型号 IRHM9260 IRHM9260PBF JANSR2N7426
描述 TO-254AA P-CH 200V 27APower Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,TO-254AA P-CH 200V 27A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
封装 TO-254 - TO-254
引脚数 - - 3
极性 P-CH - P-CH
漏源极电压(Vds) 200 V - 200 V
连续漏极电流(Ids) 27A - 27A
上升时间 83 ns - -
下降时间 172 ns - -
输入电容(Ciss) - - 6220pF @25V(Vds)
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 250000 mW
封装 TO-254 - TO-254
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -
产品生命周期 Active Active Active
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant