UMG3NTR和UMG4NTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UMG3NTR UMG4NTR FMG4AT148

描述 ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.UMG4N 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双 NPN 数字晶体管 - SC-88AROHM  FMG4AT148  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 300 mW, 100 mA, 250 hFE, SC-74A

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 5 5

封装 SC-70-5 SC-70-5 SC-74-5

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

额定功率 0.15 W 0.15 W 0.3 W

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 100 mW 150 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1mA, 5V 100 @1mA, 5V 100 @1mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 600 600 -

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 250 250

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 250 MHz 250 MHz 250 MHz

耗散功率(Max) 300 mW 150 mW 300 mW

集电极击穿电压 50.0 V - -

长度 2.1 mm 2 mm -

宽度 1.35 mm 1.7 mm -

高度 0.9 mm 0.77 mm -

封装 SC-70-5 SC-70-5 SC-74-5

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

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