JANTX2N6213和JANTXV2N6213

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N6213 JANTXV2N6213 TIP120G

描述 PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTORPNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTORON SEMICONDUCTOR  TIP120G.  双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-66 TO-66 TO-220-3

极性 PNP PNP NPN

耗散功率 3 W - 65 W

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 60 V

集电极最大允许电流 2A 2A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 30 @1A, 5V - 1000

额定功率(Max) 3 W - 2 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 3000 mW 3000 mW 65 W

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 5.00 A

额定功率 - - 2 W

输出电压 - - 60 V

输出电流 - - 5 A

针脚数 - - 3

热阻 - - 62.5℃/W (RθJA)

直流电流增益(hFE) - - 1000

输入电压 - - 2.5 V

封装 TO-66 TO-66 TO-220-3

长度 - - 15.75 mm

宽度 - - 4.83 mm

高度 - - 4.82 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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