对比图
型号 2SD1616A-U KSD1616ALBU KSD1616ALTA
描述 1A , 120V NPN Plastic-Encapsulated Transistor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial SilON Semiconductor KSD1616ALTA , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:300, 1 MHz, 3引脚 TO-92封装
数据手册 ---
制造商 Secos Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 - TO-226-3 TO-226-3
频率 - - 160 MHz
耗散功率 - 750 mW 0.75 W
击穿电压(集电极-发射极) - 60 V 60 V
最小电流放大倍数(hFE) - 300 @100mA, 2V 300 @100mA, 2V
额定功率(Max) - 750 mW 750 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - - 750 mW
额定电压(DC) - 60.0 V -
额定电流 - 1.00 A -
极性 - NPN -
集电极最大允许电流 - 1A -
最大电流放大倍数(hFE) - 600 -
长度 - 4.58 mm 5.2 mm
宽度 - 3.86 mm 4.19 mm
高度 - 4.58 mm 5.33 mm
封装 - TO-226-3 TO-226-3
材质 - - Silicon
工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free 无铅
ECCN代码 - EAR99 EAR99