IRFP150PBF和IXFH75N10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP150PBF IXFH75N10 IXFH80N10Q

描述 功率MOSFET Power MOSFETIXYS SEMICONDUCTOR  IXFH75N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 20 mohm, 10 V, 4 VTO-247AD N-CH 100V 80A

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 41.0 A 75.0 A 80.0 A

漏源极电阻 0.055 Ω 0.02 Ω 15.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 230 W 300 W 360 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 41.0 A 75.0 A 80.0 A

上升时间 120 ns 60 ns 70.0 ns

输入电容(Ciss) 2800pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 230 W 300 W 360 W

耗散功率(Max) 230 W 300W (Tc) 360W (Tc)

针脚数 3 3 -

阈值电压 2 V 4 V -

输入电容 - 4.50 nF -

栅电荷 - 260 nC -

下降时间 81 ns 60 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定功率 230 W - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 15.87 mm - -

宽度 5.31 mm - -

高度 20.82 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Bulk Tube

最小包装 500 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -

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