IXFT32N50和IXFX30N50Q

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFT32N50 IXFX30N50Q IXFJ32N50Q

描述 TO-268 N-CH 500V 32ATrans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) PLUS 247TO-268 N-CH 500V 32A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-268-3 TO-247-3 TO-220-3

通道数 1 - 1

漏源极电阻 150 mΩ - 150 mΩ

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 360 W 416W (Tc) 360 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V - 500 V

连续漏极电流(Ids) 32A - 32A

上升时间 42 ns - 42 ns

输入电容(Ciss) 5700pF @25V(Vds) 3950pF @25V(Vds) 3950pF @25V(Vds)

下降时间 26 ns - 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 360W (Tc) 416W (Tc) 360W (Tc)

长度 16.05 mm - 16.05 mm

宽度 14 mm - 14 mm

高度 5.1 mm - 5.1 mm

封装 TO-268-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司