BR108和KBPC1008P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BR108 KBPC1008P

描述 Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1kV 10A 800P/560RBridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 800V V(RRM), Silicon

数据手册 --

制造商 GeneSiC Semiconductor FUJI (富士电机)

分类 二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole -

引脚数 4 -

封装 BR-10 -

正向电压 1.1V @5A -

正向电流 10 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 150 A -

正向电压(Max) 1.1 V -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

长度 19.6 mm -

宽度 19.6 mm -

高度 7.5 mm -

封装 BR-10 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

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