对比图
型号 FDG6308P SI1967DH-T1-GE3 FDG6308PD87Z
描述 PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。双P通道20 V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 6 6 -
封装 SC-70-6 SC-70-6 -
针脚数 - 6 -
漏源极电阻 400 mΩ 0.64 Ω -
极性 P-Channel Dual P-Channel -
耗散功率 0.3 W 0.74 W -
阈值电压 - 400 mV -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -
连续漏极电流(Ids) 600 mA 1.3A -
上升时间 15 ns 27 ns -
输入电容(Ciss) 153pF @10V(Vds) 110pF @10V(Vds) -
额定功率(Max) 300 mW 1.25 W -
下降时间 1.6 ns 10 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 300 mW 1.25 W -
额定电压(DC) -20.0 V - -
额定电流 -600 mA - -
通道数 2 - -
输入电容 153 pF - -
栅电荷 1.80 nC - -
漏源击穿电压 20 V - -
栅源击穿电压 ±8.00 V - -
长度 2 mm 2.1 mm -
宽度 1.25 mm 1.25 mm -
高度 1 mm 1 mm -
封装 SC-70-6 SC-70-6 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
最小包装 - 3000 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - -
香港进出口证 NLR - -