对比图
型号 IXFN200N10P IXFN230N10 IXFN150N10
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN200N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFN230N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 230 A, 100 V, 6 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 100V 150A 4Pin SOT-227B
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Chassis Chassis Chassis
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 150 A
耗散功率 680 W 700 W 520 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
上升时间 35 ns 150 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 7600pF @25V(Vds) 19000pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 680 W 700 W 520 W
下降时间 90 ns 60 ns 60 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 680W (Tc) 700W (Tc) 520W (Tc)
针脚数 4 4 -
漏源极电阻 0.0075 Ω 0.006 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
阈值电压 5 V 4 V -
连续漏极电流(Ids) 200 A 230 A -
反向恢复时间 150 ns - -
通道数 - 1 -
长度 - - 38.23 mm
宽度 - 25.42 mm 25.42 mm
高度 - - 9.6 mm
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -