1N5538B-1TR和JANTXV1N5538B-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5538B-1TR JANTXV1N5538B-1 JANTX1N5538B-1

描述 DO-35 18V 0.5W(1/2W)无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

引脚数 - - 2

耗散功率 500 mW - 417 mW

稳压值 18 V 18 V 18 V

容差 - ±5 % ±5 %

正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA

额定功率(Max) - 500 mW 500 mW

测试电流 - - 1 mA

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Bag

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

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