PHP20NQ20T和PHP20NQ20T,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHP20NQ20T PHP20NQ20T,127 934055762127

描述 N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistorTO-220AB N-CH 200V 20APower Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 SOT-78 TO-220-3 -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 - 150 W -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20A -

上升时间 - 46 ns -

输入电容(Ciss) 2470pF @25V(Vds) 2470pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 150 W 150 W -

下降时间 - 38 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 150W (Tc) -

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 20.0 A - -

输入电容 2.47 nF - -

栅电荷 65.0 nC - -

封装 SOT-78 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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