对比图
型号 PHP20NQ20T PHP20NQ20T,127 934055762127
描述 N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistorTO-220AB N-CH 200V 20APower Field-Effect Transistor
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
封装 SOT-78 TO-220-3 -
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 - 150 W -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20A -
上升时间 - 46 ns -
输入电容(Ciss) 2470pF @25V(Vds) 2470pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 150 W 150 W -
下降时间 - 38 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 150W (Tc) -
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 20.0 A - -
输入电容 2.47 nF - -
栅电荷 65.0 nC - -
封装 SOT-78 TO-220-3 -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -