8403611JA和IDT6116LA55DB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 8403611JA IDT6116LA55DB DS1220Y

描述 Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24CMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)16K Nonvolatile SRAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Device Technology (艾迪悌) Dallas Semiconductor (达拉斯半导体)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 DIP DIP DIP

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 - 3A001 -

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