对比图
型号 CY7C1270KV18-400BZC CY7C1270KV18-400BZXC
描述 36兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)36兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 LBGA-165 FBGA-165
引脚数 - 165
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
供电电流 - 690 mA
时钟频率 - 400 MHz
位数 - 36
存取时间 - 0.45 ns
存取时间(Max) - 0.45 ns
工作温度(Max) - 70 ℃
工作温度(Min) - 0 ℃
封装 LBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free