对比图
型号 HAT2266H-EL-E PSMN017-60YS,115 PSMN030-60YS,115
描述 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power SwitchingNXP PSMN017-60YS,115 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 44A, 4-SOT-669LFPAK N-CH 60V 29A
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 5 5
封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669-4
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 23 W 74 W 56 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 30A 44A 29A
上升时间 15 ns 6.4 ns 6 ns
输入电容(Ciss) 3600pF @10V(Vds) 1172pF @30V(Vds) 686pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 23 W 74 W 56 W
下降时间 5.5 ns 12.7 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 23W (Tc) 74W (Tc) 56W (Tc)
针脚数 - 4 -
漏源极电阻 - 12.3 mΩ -
阈值电压 - 3 V 3 V
通道数 - - 1
封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669-4
高度 - - 1.1 mm
材质 Silicon - -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free