SI9936DY和SI9936DY_NL

对比图

型号 SI9936DY SI9936DY_NL SI9936DY-E3

描述 双N沟道增强型MOSFET Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETSOIC N-CH 30V 5APower Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Intertechnology

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOIC-8 SOIC -

极性 N-Channel N-CH -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 5A -

漏源极电阻 44.0 mΩ - -

耗散功率 2.00 W - -

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

输入电容(Ciss) 525pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 900 mW - -

封装 SOIC-8 SOIC -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -