SUP50N03-5M1P-GE3和SUP70N03-09BP-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SUP50N03-5M1P-GE3 SUP70N03-09BP-E3 SUP70N03-09P

描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO-220ABTransistor MOSFET N-CH 30V 70A 3Pin(3+Tab) TO-220ABPower Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

引脚数 3 3 -

漏源极电阻 - 9.00 mΩ 9.00 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.7 W 93W (Tc) 93.0 W

漏源击穿电压 - 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 50.0 A -70.0 A to 70.0 A

阈值电压 1 V - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

输入电容(Ciss) 2780pF @15V(Vds) 1500pF @25V(Vds) -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 2.7W (Ta), 59.5W (Tc) 93W (Tc) -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Bulk Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

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