对比图
型号 CY7C1354C-166BGC CY7C1354C-166BGI IS61NLP25636A-200B2LI
描述 9兆位（ 256千×五百十二分之三十六K＆times 18 ）流水线SRAM与NOBL ™架构 9-Mbit (256 K × 36/512 K × 18) Pipelined SRAM with NoBL? Architecture9兆位（ 256K ×36 / 512K ×18 ）流水线SRAM与NoBL⑩架构 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture静态随机存取存储器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 119 - 119
封装 BGA-119 BGA BGA-119
位数 36 - 36
存取时间 3.5 ns - 3.1 ns
存取时间(Max) 3.5 ns - 3.1 ns
工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.6V - 3.135V ~ 3.465V
供电电流 180 mA - -
封装 BGA-119 BGA BGA-119
高度 1.46 mm - -
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tray - Tray
RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
ECCN代码 - - EAR99