对比图
型号 W9464G6JH-5 W9464G6KH-5 IS43R16400B-6TLI
描述 DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.4INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.4INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66动态随机存取存储器 64M (4Mx16) 166MHz DDR 2.5v
数据手册 ---
制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片存储芯片
安装方式 - - Surface Mount
封装 TSSOP-66 TSOP-66 TSOP-66
引脚数 - 66 -
存取时间 - - 6 ns
工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃
电源电压(Max) - - 3.6 V
电源电压(Min) - - 1.65 V
电源电压 2.3V ~ 2.7V 2.3V ~ 2.7V -
供电电流 - 110 mA -
位数 - 16 -
存取时间(Max) - 0.7 ns -
封装 TSSOP-66 TSOP-66 TSOP-66
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 -
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -
ECCN代码 - EAR99 -