P2N2907A和PN2907ABU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P2N2907A PN2907ABU BC556B

描述 放大器晶体管( PNP硅) Amplifier Transistor(PNP Silicon)PN系列 PNP 625 mW 60 V 800 mA 通孔 通用 晶体管-TO-92-3Transistor: PNP; bipolar; 65V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92

耗散功率 - 625 mW 500 mW

增益频宽积 - - 150 MHz

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 500 mW

额定电压(DC) -60.0 V - -

额定电流 -600 mA - -

极性 PNP - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

集电极最大允许电流 0.6A - -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V -

额定功率(Max) 625 mW 625 mW -

频率 - 200 MHz -

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 50 -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Box Bag Roll, Tape

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

ECCN代码 - - EAR99

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