BCR08PN和MUN5335DW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR08PN MUN5335DW1T1G MUN5334DW1T1G

描述 BCR08PN NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA 70 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记WF 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路ON SEMICONDUCTOR  MUN5335DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-363双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-363 SC-70-6 SC-88-6

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 6

极性 NPN+PNP NPN, PNP NPN+PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V

额定电流 - 100 mA 100 mA

耗散功率 - 187 mW 0.385 W

最小电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 250 mW 250 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 385 mW 385 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 10V -

直流电流增益(hFE) - 140 -

封装 SOT-363 SC-70-6 SC-88-6

长度 - 2 mm -

宽度 - 1.25 mm -

高度 - 0.9 mm -

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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