对比图
型号 JANHCA1N5521D JANTXV1N5521D-1 1N5521D
描述 DO-35 4.3V 0.5W(1/2W)无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWDO-35 4.3V 400mW
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor
分类 齐纳二极管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 DO-35 DO-204AH DO-35
耗散功率 500 mW - 400 mW
稳压值 4.3 V 4.3 V 4.3 V
容差 - ±1 % -
正向电压 - 1.1V @200mA -
额定功率(Max) - 500 mW -
封装 DO-35 DO-204AH DO-35
产品生命周期 Active Active Active
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -
RoHS标准 - -
含铅标准 - -