JAN1N755A和JANTX1N755A-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N755A JANTX1N755A-1 JAN1N755A-1

描述 SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESZener Diode, 7.5V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional,Zener Diode, 7.5V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) M/A-Com M/A-Com

分类

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 DO-35 DO-204AH -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

稳压值 - 7.5 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-204AH -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 - -

含铅标准 - Contains Lead -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台