对比图
型号 IXFP10N80P IXFQ10N80P IXFH10N80P
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备TO-3P N-CH 800V 10AN沟道 800V 10A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-247-3
耗散功率 300W (Tc) 300W (Tc) 300 W
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
输入电容(Ciss) 2050pF @25V(Vds) 2050pF @25V(Vds) 2050pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 1.1 Ω
阈值电压 - - 5.5 V
漏源击穿电压 - - 800 V
上升时间 - - 22 ns
下降时间 - - 22 ns
极性 - N-CH -
连续漏极电流(Ids) - 10A -
长度 10.66 mm - 16.26 mm
宽度 4.83 mm - 5.3 mm
高度 9.15 mm - 21.46 mm
封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free