PIC18F2321-E/SP和PIC18F2321-E/SS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC18F2321-E/SP PIC18F2321-E/SS PIC18F2321-E/SO

描述 增强型闪存微控制器与10位A / D和纳瓦技术 Enhanced Flash Microcontrollers with 10-Bit A/D and nanoWatt TechnologyPIC18 系列 512 B RAM 8 kB 闪存 8位 增强型 微控制器 - SSOP-28增强型闪存微控制器与10位A / D和纳瓦技术 Enhanced Flash Microcontrollers with 10-Bit A/D and nanoWatt Technology

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 28 28 28

封装 DIP-28 SSOP-28 SOIC-28

频率 - 25 MHz -

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 - 40.0MHz (max) -

RAM大小 512 B 512 B 512 B

位数 8 8 8

I/O引脚数 - 25 -

存取时间 - 40.0 µs -

内核架构 - PIC -

模数转换数(ADC) 1 1 1

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

电源电压 - 2V ~ 5.5V -

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.2 V 4.2 V 4.2 V

耗散功率 1000 mW - 1000 mW

FLASH内存容量 8 KB - -

长度 34.67 mm 10.2 mm 17.87 mm

宽度 7.24 mm 5.3 mm 7.49 mm

高度 3.3 mm 1.75 mm 2.31 mm

封装 DIP-28 SSOP-28 SOIC-28

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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