对比图
型号 2N6299E3 JANTX2N6298 JAN2N6298
描述 PNP Darlington Power Silicon TransistorPNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORPower Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)
分类 双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 TO-66 TO-66 TO-66
耗散功率 64 W 75 W -
击穿电压(集电极-发射极) - 60 V -
最小电流放大倍数(hFE) - 750 @4A, 3V -
额定功率(Max) - 64 W -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 75000 mW 64000 mW -
封装 TO-66 TO-66 TO-66
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tray Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -
含铅标准 Lead Free Contains Lead -
ECCN代码 - EAR99 -