IRF7342PBF和IRF7342QTRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7342PBF IRF7342QTRPBF 94-3449

描述 INFINEON  IRF7342PBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3.4 A, -55 V, 105 mohm, -10 V, -1 VSOIC P-CH 55V 3.4AMOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 - 2 -

极性 P-CH P-CH -

耗散功率 2 W 2 W -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 - 55 V -

连续漏极电流(Ids) 3.4A 3.4A -

上升时间 10 ns 10 ns -

输入电容(Ciss) 690pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

下降时间 22 ns 22 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2 W 2000 mW -

额定功率 2 W - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.105 Ω - -

阈值电压 1 V - -

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 4 mm 3.9 mm -

高度 1.5 mm 1.75 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Discontinued at Digi-Key Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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