FDS3812和IRF7380TRPBF-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS3812 IRF7380TRPBF-1 IRF7380PBF

描述 80V N沟道双通道PowerTrench MOSFET的 80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFETSOIC N-CH 80V 3.6AINFINEON  IRF7380PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.6 A, 80 V, 73 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

极性 N-Channel N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 80 V

连续漏极电流(Ids) 3.40 A 3.6A 3.6A

上升时间 3 ns 10 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 634pF @40V(Vds) 660pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds)

下降时间 4 ns 17 ns 17 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 2 W

额定电压(DC) 80.0 V - -

额定电流 3.40 A - -

漏源极电阻 74.0 mΩ - 0.073 Ω

耗散功率 2 W - 2 W

输入电容 634 pF - -

栅电荷 13.0 nC - -

漏源击穿电压 80.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

额定功率(Max) 900 mW - 2 W

额定功率 - - 2 W

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 4 V

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.9 mm - 4 mm

高度 1.75 mm - 1.5 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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