BC846BLT1G和BC846T,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC846BLT1G BC846T,115 BC 846B B5003

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC846BLT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 290 hFESC-75 NPN 65V 0.1A双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-416 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz -

极性 NPN NPN -

耗散功率 300 mW 0.15 W 330 mW

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW 150 mW 330 mW

耗散功率(Max) 300 mW 150 mW -

额定电压(DC) 65.0 V - 65.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

额定功率 300 mW - -

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 - -

增益频宽积 100 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) 450 - -

直流电流增益(hFE) 200 - -

封装 SOT-23-3 SOT-416 SOT-23-3

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.94 mm - 1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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