2SA733G-P-AE3-R和KSA733G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SA733G-P-AE3-R KSA733G KSA1175GBU

描述 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR低频放大器 Low Frequency AmplifierTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 3Pin TO-92S Bulk

数据手册 ---

制造商 UTC (友顺) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - - Through Hole

封装 SOT-23 - TO-226-3

极性 - - PNP

击穿电压(集电极-发射极) - - 50 V

集电极最大允许电流 - - 0.15A

最小电流放大倍数(hFE) - - 200 @1mA, 6V

额定功率(Max) - - 250 mW

封装 SOT-23 - TO-226-3

工作温度 - - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 - - 无铅

ECCN代码 - - EAR99

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