对比图
型号 FDMC6679AZ FDZ208P FDMC7692
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC6679AZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 0.0086 ohm, -10 V, -1.8 VP沟道30伏的PowerTrench MOSFET BGA P-Channel 30 Volt PowerTrench BGA MOSFETPowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 18 8
封装 Power-33-8 WFBGA-30 PowerWDFN-8
额定电压(DC) - -30.0 V -
额定电流 - -12.5 A -
漏源极电阻 0.0086 Ω 10.5 mΩ 0.0072 Ω
极性 P-Channel P-Channel N-Channel
耗散功率 41 W 2.2W (Ta) 29 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V 20.0 V -
栅源击穿电压 - ±25.0 V -
连续漏极电流(Ids) 11.5A 12.5 A 13.3A
输入电容(Ciss) 3970pF @15V(Vds) 2409pF @15V(Vds) 1680pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.3 W 1 W 2.3 W
耗散功率(Max) 2.3W (Ta), 41W (Tc) 2.2W (Ta) 2.3W (Ta), 29W (Tc)
阈值电压 1.8 V - 1.9 V
上升时间 14 ns - 4 ns
下降时间 46 ns - 3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
通道数 1 - -
针脚数 8 - -
封装 Power-33-8 WFBGA-30 PowerWDFN-8
长度 3.3 mm - 3.3 mm
宽度 3.3 mm - 3.3 mm
高度 0.75 mm - 0.75 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -
香港进出口证 NLR - -