MJD117-001和MJD117-001G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD117-001 MJD117-001G KSH117ITU

描述 互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power TransistorsDPAK-3 PNP 100V 2ATrans Darlington PNP 100V 2A 3Pin(3+Tab) IPAK Tube

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 TO-251-3 DPAK-3 TO-251-3

安装方式 Through Hole - Through Hole

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 1750 mW 1750 mW 1750 mW

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 2A 2A 2A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

增益带宽 25MHz (Min) 25MHz (Min) 25MHz (Min)

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 1750 mW

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @2A, 3V - 1000 @2A, 3V

额定功率(Max) 1.75 W - 1.75 W

额定电压(DC) -100 V - -

额定电流 -2.00 A - -

高度 6.35 mm 6.35 mm 6.1 mm

封装 TO-251-3 DPAK-3 TO-251-3

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Rail Rail Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - 无铅

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

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