BC847CE6327HTSA1和BC847CE6433HTMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847CE6327HTSA1 BC847CE6433HTMA1 BC 850C B5003

描述 Infineon BC847CE6327HTSA1 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:420, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装Infineon BC847CE6433HTMA1 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=50 V, HFE:110, 3引脚 SOT-23封装双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 45.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

耗散功率 330 mW 330 mW 330 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 420 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) 330 mW 330 mW 330 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

频率 250 MHz 250 MHz -

极性 NPN NPN -

增益频宽积 250 MHz 250 MHz -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最大电流放大倍数(hFE) 800 800 -

耗散功率(Max) 330 mW 330 mW -

额定功率 330 mW - -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 110 - -

长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 1 mm 0.9 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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