1N5802US和JAN1N5802

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5802US JAN1N5802 RS1AE3

描述 Rectifier Diode,军事批准的高效率2.5安培和6.0 AMP MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMPRectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CLIP SMA, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 EIC Microsemi (美高森美) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 TVS二极管

基础参数对比

引脚数 2 2 -

封装 DO-41 A, Axial -

安装方式 - Through Hole -

封装 DO-41 A, Axial -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -

军工级 - Yes -

正向电压 - 975mV @2.5A -

反向恢复时间 - 25 ns -

正向电压(Max) - 975mV @2.5A -

正向电流(Max) - 2.5 A -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

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