对比图
型号 IRLZ44NSPBF IRLZ44ZSPBF IRLZ44NSTRLPBF
描述 N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRLZ44ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 13.5 mohm, 10 V, 3 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 110 W 80 W 83 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.022 Ω 0.0135 Ω 0.022 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 110 W 80 W 110 W
阈值电压 2 V 3 V 2 V
输入电容 - - 1700 pF
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 47A 51A 47A
上升时间 84 ns 160 ns 84 ns
输入电容(Ciss) 1700pF @25V(Vds) 1620pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 3.8 W
下降时间 15 ns 42 ns 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 80W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc)
通道数 1 - -
漏源击穿电压 55 V - -
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Discontinued at Digi-Key Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17