PIC12F508T-I/SN和PIC12F509T-I/SN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC12F508T-I/SN PIC12F509T-I/SN PIC12F508-I/SN

描述 MICROCHIP  PIC12F508T-I/SN  微控制器, 8位, 闪存, AEC-Q100, PIC12F5xx, 4 MHz, 768 Byte, 25 Byte, 8 引脚, SOICMICROCHIP  PIC12F509T-I/SN  微控制器, 8位, 闪存, AEC-Q100, PIC12C5xx, 4 MHz, 1.5 KB, 41 Byte, 8 引脚, SOICMICROCHIP  PIC12F508-I/SN  微控制器, 8位, 闪存, AEC-Q100, PIC12F5xx, 4 MHz, 768 Byte, 25 Byte, 8 引脚, SOIC

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

频率 4 MHz 4 MHz 4 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 8 8 8

时钟频率 4.00 MHz 4.00 MHz 4 MHz

RAM大小 25 b 41 B 25 B

位数 8 8 8

FLASH内存容量 768 b 1.5 KB 750 KB

I/O引脚数 6 6 6

存取时间 4.00 µs 4.00 µs 4.00 µs

内核架构 PIC PIC PIC

内核子架构 - PIC12 PIC12

输入/输出数 6 Input 5 Input 6 Input

工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

电源电压 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 2 V 2.5 V 2 V

工作电压 - - 2V ~ 5.5V

耗散功率 800 mW - 800 mW

模数转换数(ADC) - - 0

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.9 mm 3.9 mm

高度 - 1.25 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

HTS代码 8542310001 - 8542310001

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