BC557CZL1和BC557C,112

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC557CZL1 BC557C,112 BC557C

描述 放大器晶体管 Amplifier TransistorsSPT PNP 45V 0.1ATransistor: PNP; bipolar; 50V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 625 mW 500 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW 500 mW

额定电压(DC) -45.0 V - -

额定电流 -100 mA - -

频率 - - 150 MHz

耗散功率 - - 500 mW

增益频宽积 - - 150 MHz

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Box Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

ECCN代码 - - EAR99

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