对比图
型号 NTHC5513T1 NTHC5513T1G
描述 功率MOSFET的20 V ， 3.9 A / -3.0 A，互补ChipFET -TM Power MOSFET 20 V, +3.9 A / −3.0 A, Complementary ChipFET-TMON SEMICONDUCTOR NTHC5513T1G 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.9 A, 20 V, 0.058 ohm, 4.5 V, 600 mV
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8
封装(公制) - 3216
封装 SMD-8 1206
额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V
额定电流 3.10 A 3.10 A
针脚数 - 8
漏源极电阻 80.0 mΩ, 200 mΩ 0.058 Ω
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 1.1 W 1.1 W
阈值电压 - 600 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.10 A 3.90 A
上升时间 13.0 ns 13.0 ns
输入电容(Ciss) 180pF @10V(Vds) 180pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2.1 W
通道数 2 -
漏源击穿电压 20 V -
长度 3.05 mm 3.1 mm
宽度 1.65 mm 1.7 mm
高度 1.05 mm 1.1 mm
封装(公制) - 3216
封装 SMD-8 1206
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99