对比图
型号 IDT70V657S12BF IDT70V657S12BFI 70V657S12BFGI8
描述 高速3.3V 64分之128 / 32K ×36异步双端口静态RAM HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM高速3.3V 64分之128 / 32K ×36异步双端口静态RAM HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAMIC SRAM 1.125Mbit 12NS 208CABGA
数据手册 ---
制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)
分类 RAM芯片存储芯片存储芯片
引脚数 - - 208
封装 LFBGA LFBGA LFBGA-208
电源电压 - - 3.15V ~ 3.45V
长度 - - 15.0 mm
宽度 - - 15.0 mm
封装 LFBGA LFBGA LFBGA-208
厚度 - - 1.40 mm
工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead Lead Free
ECCN代码 3A991 3A991 -