对比图
型号 IXTA50N25T IXTQ50N25T IXTP50N25T
描述 TO-263AA N-CH 250V 50AN沟道 250V 50AN沟道 250V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-3-3 TO-220-3
通道数 1 - 1
漏源极电阻 60 mΩ - 60 mΩ
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 400 W 400W (Tc) 400 W
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
漏源击穿电压 250 V - 250 V
连续漏极电流(Ids) 50A 50A 50A
上升时间 25 ns 25 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds)
下降时间 25 ns 25 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)
阈值电压 5 V - -
额定功率(Max) 400 W 400 W -
封装 TO-263-3 TO-3-3 TO-220-3
长度 9.65 mm - -
宽度 10.41 mm - -
高度 4.83 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free