对比图
型号 SPS04N60C3 SPS04N60C3BKMA1 SPS04N60C3BT
描述 INFINEON SPS04N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 VTO-251 N-CH 650V 4.5APower Field-Effect Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 TO-251-3 TO-251-3 -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.85 Ω - -
极性 N-Channel N-CH -
耗散功率 50 W 50W (Tc) -
阈值电压 3 V - -
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V -
连续漏极电流(Ids) 4.50 A 4.5A -
上升时间 2.5 ns 2.5 ns -
输入电容(Ciss) 490pF @25V(Vds) 490pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 50 W - -
下降时间 9.5 ns 9.5 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 50W (Tc) -
长度 6.73 mm - -
宽度 2.38 mm - -
高度 6.22 mm - -
封装 TO-251-3 TO-251-3 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 - Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -