SPS04N60C3和SPS04N60C3BKMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPS04N60C3 SPS04N60C3BKMA1 SPS04N60C3BT

描述 INFINEON  SPS04N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 VTO-251 N-CH 650V 4.5APower Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.85 Ω - -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 50 W 50W (Tc) -

阈值电压 3 V - -

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V -

连续漏极电流(Ids) 4.50 A 4.5A -

上升时间 2.5 ns 2.5 ns -

输入电容(Ciss) 490pF @25V(Vds) 490pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 50 W - -

下降时间 9.5 ns 9.5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 50W (Tc) -

长度 6.73 mm - -

宽度 2.38 mm - -

高度 6.22 mm - -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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