IS43LR16800F-6BLI-TR和IS43LR16800G-6BLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43LR16800F-6BLI-TR IS43LR16800G-6BLI-TR

描述 DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 60Pin TFBGA T/R128m, 1.8V, Mobile Ddr, 8mx16, 166MHz, 60 Ball Bga (8mmx10mm) Rohs, It, t&r

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TFBGA-60 BGA-60

引脚数 - 60

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

位数 - 16

存取时间 - 5.5 ns

存取时间(Max) - 6 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

封装 TFBGA-60 BGA-60

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台