对比图
型号 BSM50GD120DN2G MWI50-12A7
描述 IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 350000mW 18Pin E2
数据手册 --
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管
安装方式 - Chassis
引脚数 - 18
封装 - E2
耗散功率 - 350000 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V
输入电容(Cies) - 3.3nF @25V
额定功率(Max) - 350 W
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃
耗散功率(Max) - 350000 mW
高度 - 17 mm
封装 - E2
长度 - -
宽度 - -
工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free