2N5237S和JAN2N5237

对比图

型号 2N5237S JAN2N5237 2N5237

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 120V 10A 3Pin TO-5NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-39 TO-5 TO-5

极性 NPN - -

耗散功率 1 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 120 V 120 V -

集电极最大允许电流 10A - -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 1000 mW - -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @5A, 5V -

额定功率(Max) - 1 W -

封装 TO-39 TO-5 TO-5

材质 Silicon - -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bag Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - -