1N4114-1E3和JANS1N4114-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4114-1E3 JANS1N4114-1 JAN1N4114

描述 DO-35 20V 0.5W(1/2W)硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODESZener Diode, 20V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-7

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-35 -

耗散功率 500 mW - -

稳压值 20 V - -

封装 DO-35 DO-35 -

产品生命周期 Active Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant - -

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