7130SA35JG8和71V30L35TFGI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 7130SA35JG8 71V30L35TFGI 7130SA35JG

描述 SRAM Chip Async Dual 5V 8Kbit 1K x 8 35ns 52Pin PLCC T/R静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAMSRAM Chip Async Dual 5V 8Kbit 1K x 8 35ns 52Pin PLCC

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片逻辑控制器

基础参数对比

封装 QCCJ TQFP-64 PLCC

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 64 52

封装 QCCJ TQFP-64 PLCC

长度 - 10 mm -

宽度 - 10 mm -

高度 - 1.4 mm -

厚度 - 1.40 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

供电电流 - - 165 mA

存取时间 - 35 ns 35 ns

存取时间(Max) - - 35 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 3V ~ 3.6V -

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