对比图
型号 FCH47N60 SPW47N65C3 APT47N60BC3G
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETCoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor超级结MOSFET Super Junction MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 47.0 A - 47.0 A
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 417W (Tc) 415 W 417 W
输入电容 5.90 nF - 7.01 nF
栅电荷 210 nC - 260 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 47.0 A 47A 47.0 A
上升时间 - 27 ns 27 ns
输入电容(Ciss) 8000pF @25V(Vds) - 7015pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 417 W - 417 W
下降时间 - 14 ns 8 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 417W (Tc) - 417W (Tc)
漏源极电阻 70.0 mΩ - -
漏源击穿电压 600 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
通道数 - 1 -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 16.13 mm -
宽度 - 5.21 mm -
高度 - 21.1 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -