对比图
型号 BC846 BC846BLT1G
描述 0.25W(1/4W) General Purpose NPN SMD Transistor. 65V Vceo, 0.1A Ic, 110 - 450 hFE. Complementary BC856ON SEMICONDUCTOR BC846BLT1G. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 290 hFE
数据手册 --
制造商 Continental Device ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管
封装 SOT-23 SOT-23-3
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 SOT-23 SOT-23-3
长度 - 2.9 mm
宽度 - 1.3 mm
高度 - 0.94 mm
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
频率 - 100 MHz
额定电压(DC) - 65.0 V
额定电流 - 100 mA
额定功率 - 300 mW
无卤素状态 - Halogen Free
针脚数 - 3
极性 - NPN
耗散功率 - 300 mW
增益频宽积 - 100 MHz
击穿电压(集电极-发射极) - 65 V
集电极最大允许电流 - 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) - 200 @2mA, 5V
最大电流放大倍数(hFE) - 450
额定功率(Max) - 225 mW
直流电流增益(hFE) - 200
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW
材质 - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
ECCN代码 - EAR99