对比图
型号 SST39SF020A-70-4C-WHE SST39SF020A-70-4I-WHE SST39SF020A-70-4C-WHE-T
描述 SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，MicrochipSST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，MicrochipFlash Parallel 5V 2Mbit 256K x 8Bit 70ns 32Pin TSOP T/R
数据手册 ---
制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)
分类 Flash芯片Flash芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 32 32 32
封装 TSOP-32 TSOP-32 TSOP-32
供电电流 25 mA 25 mA -
针脚数 32 32 -
位数 8 8 8
存取时间 70 ns 70 ns 70 ns
存取时间(Max) 70 ns 70 ns 70 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V -
电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V -
电源电压(DC) - 4.50V (min) -
工作电压 - 4.5V ~ 5.5V -
内存容量 - 250000 B -
长度 12.5 mm 12.5 mm -
宽度 8.1 mm 8.1 mm -
高度 1.05 mm 1.05 mm -
封装 TSOP-32 TSOP-32 TSOP-32
工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 3A991.b.1.a - -